化合物简介
Gallium(III) oxide (Ga2O3) is a chemical compound used in vacuum deposition and as part of the manufacturing of semiconductor devices.
基本信息
中文名称
氧化镓
英文名称
Gallium(Iii) Oxide (Metals Basis)
中文别名
三氧化二镓
英文别名
oxo(oxogallanyloxy)gallane、Gallium trioxide、Gallium oxide、Gallium(III) oxide
CAS号
12024-21-4
分子式
Ga2O3
分子量
187.444
精确质量
185.836
PSA
43.37
LOGP
-0.8426
编号系统
PubChem号
24846434
MDL号
MFCD00011020
RTECS号
LW9650000
EINECS号
234-691-7
物化性质
外观与性状
白色无臭粉末
密度
5.88
熔点
1740ºC
折射率
1.92
稳定性
Stable. Incompatible with magnesium.
储存条件
库房通风低温干燥
安全信息
安全说明
S24/25
生产方法及用途
生产方法
1.向三氯化镓GaCl3的热水溶液中加NaHCO3的高浓热水溶液,煮沸到镓的氢氧化物全部沉淀出来为止。用热水洗涤沉淀至没有Cl-为止,在600℃以上煅烧则得到β-Ga2O3。残留NH4Cl时,在250℃就和Ga2O3反应,生成挥发性GaCl3。
2.这是高纯Ga2O3的制法。以高纯金属Ga为阳极,溶解于5%～20%H2SO4溶液里,向溶液加氨水,冷却,将Ga(N
H4)(S
O4)2反复结晶,在105℃干燥,在过量氧的条件下在800℃灼烧2h,则得到纯度为9
9 99%～99.9999%的产品。
3.称取1kg99.9999%的高纯镓放入三颈烧瓶中,加入高纯硝酸,使镓全部溶解,然后过滤,滤液倒入三颈烧瓶中,移至电炉上蒸发(在通风橱中进行),浓缩到接近结晶时,将溶液移置于大号蒸发皿中蒸发至干。将蒸干的Ga(N
O3)3放在马弗炉中进行灼烧,温度控制在550℃,灼烧5h,待冷却后取出成品,得1.2kg高纯氧化镓。
2.这是高纯Ga2O3的制法。以高纯金属Ga为阳极,溶解于5%～20%H2SO4溶液里,向溶液加氨水,冷却,将Ga(N
H4)(S
O4)2反复结晶,在105℃干燥,在过量氧的条件下在800℃灼烧2h,则得到纯度为9
9 99%～99.9999%的产品。
3.称取1kg99.9999%的高纯镓放入三颈烧瓶中,加入高纯硝酸,使镓全部溶解,然后过滤,滤液倒入三颈烧瓶中,移至电炉上蒸发(在通风橱中进行),浓缩到接近结晶时,将溶液移置于大号蒸发皿中蒸发至干。将蒸干的Ga(N
O3)3放在马弗炉中进行灼烧,温度控制在550℃,灼烧5h,待冷却后取出成品,得1.2kg高纯氧化镓。
用途
用作高纯分析试剂、用于电子工业半导体材料制备。 用作高纯分析试剂、半导体材料。
