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氮化铝

氮化铝

CAS号:24304-00-5
英文名:aluminium nitride
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化合物简介
氮化铝(Aluminium Nitride,AlN)是铝的氮化物。纤锌矿状态的氮化铝(w-AlN)是一种宽带隙(Wide-bandgap Semiconductor)的半导体材料(6.2 eV)。故也是可应用于深紫外线光电子学的半导体物料。
基本信息
编号系统
物化性质
安全信息
生产方法及用途
生产方法
1.将氨和铝直接进行氮化反应,经粉碎、分级制得氮化铝粉末。或者将氧化铝和炭充分混合,在电炉中于1700℃还原制得氮化铝。
2.将高纯度铝粉脱脂(用乙醚抽提或在氮气流中加热到150℃)后,放到镍盘中,将盘放在石英或瓷制反应管内,在提纯的氮气流中慢慢地进行加热。氮化反应在820℃左右时发出白光迅速地进行。此时,必须大量通氮以防止反应管内出现减压。这个激烈的反应完毕后,在氮气流中冷却。由于产物内包有金属铝,可将其粉碎,并在氮气流中于1100~1200℃温度下再加热1~2h,即得到灰白色氮化铝。另外,将铝在1200~1400℃下蒸发气化,使其与氮气反应即得到氮化铝的须状物(金属晶须)。此外,也有将AlCl3·NH3加成物进行热分解的制法。
3.直接氮化法 将氮和铝直接进行氮化反应,经粉碎、分级制得。氮化铝产品质量受反应炉温、原料的预混合以及循环氮化铝粉末所占的混合比例、氮化铝比表面积等条件的影响。因此需严格控制工艺过程,得到稳定特性的氮化铝粉末(如比表面积、一次粒径、凝聚粒径、松密度和表面特性等)。
4.氧化铝还原法 以氧化铝、炭、氮气为原料生成氮化铝,反应式如下。
将氧化铝和炭充分混合,在电炉中于1700℃还原制得氮化铝。
用途
氮化铝陶瓷是一种高技术新型陶瓷。氮化铝基板具有极高的热导率,无毒、耐腐蚀、耐高温,热化学稳定性好等特点,是大规模集成电路,半导体模块电路和大功率器件的理想封装材料、散热材料、电路元件及互连线承载体。也是提高高分子材料热导率和力学性能的最佳添加料,氮化铝陶瓷还可用作熔炼有色金属和半导体材料砷化镓的坩埚、热电偶的保护管、高温绝缘件、微波介电材料、耐高温、耐腐蚀结构陶瓷及透明氮化铝微波陶瓷制品,用作高导热陶瓷生产原料及树脂填料等。氮化铝是电绝缘体,介电性能良好。砷化镓表面的氮化铝涂层,能保护它在退火时免受离子的注入。用作高导热陶瓷生产原料、AlN陶瓷基片原料、树脂填料等。